Вы здесь

Исследование и разработка процессов плазменного травления функциональных слоев СБИС с использованием источников высокоплотной плазмы

Автор: 
Голишников Александр Анатольевич
Тип работы: 
кандидатская
Год: 
2002
Количество страниц: 
167
Артикул:
232882
129 грн
(417 руб)
Добавить в корзину

Содержимое

ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ УЪИС
1.1. Современные требования к процессам плазменного травления
1.2. Существующие проблемы плазменного травления диэлектрических слоев СБИС
1.3. Проблемы плазменного травления диэлектриков с высоким аспектным соотношением
1.4. Проблемы селективности при плазменном травлении диоксида кремния и нитрида кремния
1.4.1. Селективность плазменного травления диоксида кремния по отношению к нитриду кремния
1.5. Проблемы, возникающие при плазменном травлении проводников затвора
1.5.1. Формирование маски проводников затвора плазменным методом
1.5.2. Плазменное травление проводников затвора из поликристалличсского кремния
1.6. Современные требования к оборудованию для плазменного травления
1.6.1. СВЧ источники плазмы на основе электронно циклотронного резонанса
1.6.2. Геликонный источник ВЧ плазмы
1.6.3. Источники индуктивно и трансформаторпо связанной плазмы
1.7. Выводы и постановка цели и решаемых задач
ГЛАВА 2. ИСТОЧНИКИ ВЫСОКОПЛОТНОЙ ИНДУКТИВНО И ТРАНСФОРМАТОРНО СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЫ
2Л. Обоснование выбора механизмов и конструкций источников высокоплотной плазмы для высокоскоростного травления
2.2. Конструкция экспериментальной установки ПЛАЗМА ТЦ 2
2.3. Конструкция реактора индуктивно связанной плазмы
2.3.1. Исследование возможности формирования изотропного профиля в межслойном диэлектрике в реакторе индуктивно связанной плазмы
2.4. Конструкция реактора трансформаторно связанной плазмы
2.5. Оптимизация конструктивных параметров разрабатываемых реакторов высокоплотной плазмы экспериментальной установки Плазма ТЦ 2
2.5.1. Влияние охлаждающего газа на основные характеристики процесса плазменного травления
2.5.2. Влияние расстояния от электрода подложкодержателя до спиральной катушки реактора трансформаторно связанной плазмы на процессы травления функциональных слоев СБИС
2.6. Исследование параметров реактора трансформаторно связанной плазмы
2.7. Выводы
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ВЫСОКОПЛОТНОЙ ПЛАЗМЫ НА ОБРАБАТЫВАЕМУЮ ПОВЕРХНОСТЬ
3.1. Исследование влияния плазменной обработки на
электрофизические параметры транзисторных структур
3.2. Исследование влияния плазменной обработки в источниках высокоплотной плазмы на обрабатываемую поверхность
3.2.1. Исследование влияния плазменной обработки на состояние поверхности кремния методом оптоэлектронного анализа
3.2.2. Исследование влияния плазменной обработки на состояние поверхности кремния с помощью метода локального анизотропного плавления
3.2.3. Исследование влияния плазменной обработки на состояние поверхности кремния с помощью атомно силового микроскопа
3.3. Спектральные исследования ВЧ плазмы в реакторе трансформаторно связанной плазмы
3.4. Выводы
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА ПРОЦЕССОВ ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СЛОЕВ СБИС С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ИСТОЧНИКОВ ВЫСОКОПЛОТНОЙ ПЛАЗМЫ
4.1. Процессы плазменного травления в реакторе индуктивно связанной плазмы
4.1.1. Исследование и разработка процесса изотропного травления диоксида кремния при формировании контактного окна в реакторе индуктивно связанной плазмы
4.1.2. Исследование процесса снятия фоторсзистивной маски в реакторе индуктивно связанной плазмы
4.2. Процессы плазменного травления в реакторе трансформаторно связанной плазмы
4.2.1. Исследование и разработка процесса плазменного травления диоксида кремния
4.2.2. Исследование и разработка процесса травления нитрида кремния
4.2.3. Исследование и разработка процесса травления монокристаллического кремния технологии и микромеханики
4.3. Выводы
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ