Содержание
Список обозначений и сокращений
Введение.
1 Электрофизические свойства высокотемпературного сверхпроводника
состава В8г7Са2СияОю. Основные методы получения в пленочном виде
1.1 Сверхпроводпиковыс пленки системы В1РЬ8гСаСиО. Их основные свойства
1.2 Влияние материала подложки на сверхпроводящие свойства пленок ВКРДОгСаСиО.
1.3 Основные методы получения пленок состава В1РЬ8гСаСиО
1.3.1 Термическое испарение
1.3.2 Метод молекулярнолучевой эпитаксии
1.3.3 Лазерное испарение.
1.3.4 Химические методы осаждения
1.3.5 Магнетронное нанесение.
1.4 Формирование ВТСП пленок В1РЬ8гСаСиО при термической
обработке
Выводы по главе 1.
2 Моделирование процессов магнетронного нанесения многокомпонентных пленок.
2.1 Моделирование процессов распыления мишени.
2.2 Перенос атомов от мишени к подложке.
2.3 Осаждение на подложку.
2.4 Программа расчета и проверка адекватности модели
2.4.1. Проверка адекватности модели
Выводы по главе 2.
3. Оптимизация конструкции магиетронной распылительной системы
3.1 Оптимизация конструкции магнетронного источника.
3.1.1 Моделирование источников распыления различной конструкции
3.1.2 Разработка конструкции распылительного узла.
3.2 Конструкции столика для крепления подложек
3.3 Исследование и разработка конструкции мишени с улучшенным теплоотводом
3.4 Конструкция и характеристики базовых модулей установки магнетронного распыления
Выводы по главе 3.
4. Исследование влияния технологических факторов на параметры осажденного слоя
4.1 Методика подготовки подложек перед напылением.
4.2 Ранжирование технологических факторов, влияющих на состав нанесенной пленки
4.2.1 Оборудование для исследования состава пленок
4.2.2 Влияние мощности разряда.
4.2.3 Влияние температуры подложки на состав нанесенной пленки
4.3 Поиск оптимальных давлений газов методом планированного эксперимента.
5 Исследование влияния режимов термообработки на формирование кристаллической сруктурь сверхпроводника. Электрофизические свойства сверхпроводниковых пленок
5.1. Оборудование для рскрнсгаллизанионного огжига и исследования
электрических свойств сверхпроводниковых пленок.
5.1.1 Оборудование для рекристаллизационного высокотемпературного
5.1.2 Оборудование и методика для измерения электрофизических свойств ВТСП пленок
5.1.3 Оборудование для исследования толщины изготовленных пленок
5.2 Исследование процессов в пленке при отжиге
5.2.1 Влияние температуры отжига на свойства ВТСП пленок
5.2.2 Влияние состава атмосферы на свойства пленок
5.2.3 Влияние длительности отжига на свойства свсрхпроводниковых пленок.
5.3 Методика отжига в парах летучих компонентов.
5.4 Изготовление свсрхпроводниковых пленок с толщиной слоя менее
5.5 Исследование возможносги использования сверхпроводниковых пленок
в элементах электроники.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЦИТИРУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922