Ви є тут

Развитие емкостных методов измерения профилей легирования полупроводниковых структур

Автор: 

Уткин Алексей Борисович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000222924

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Электронные и сорбционные процессы в сенсорах на основе гетероструктуры кремний / металлоксидный полупроводник
• Исследование неизотермической электрической релаксации заряда в кристаллах природного алмаза
• Механизм насыщения поглощения в монокристаллах селенида цинка
• Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений A2 B6 : Основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
• Математические модели процессов, протекающих на границе \"полупроводник - газ\" и межфазных границах структуры \"металлическая плёнка - полупроводник\", помещённой в активный газ
• Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами: азот и висмут в GaP
• Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур : Нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами
• Влияние положительного и отрицательного давления на фазовый переход в некоторых широкощельных, узкощельных и слоистых сегнетоэлектриках
• Туннельные явления в напряженных вюртцитных гетероструктурах с сильными встроенными полями
• Получение гетеропереходов теллурид цинка-фосфид индия и исследование их электрофизических свойств