Ви є тут

Развитие емкостных методов измерения профилей легирования полупроводниковых структур

Автор: 

Уткин Алексей Борисович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000222924

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
• Электрофизические методы исследования планарно-неоднородных и ионно-легированных МДП-структур
• Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой
• Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками
• Механизмы переноса заряда в приёмниках рентгеновского излучения на основе кремния
• Радиационная деградация функционирования кольцевых структур в кремниевых детекторах ядерных излучений
• Фотомодуляционная спектроскопия полупроводниковых структур на A iiiB v
• Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства модифицированных пленок a-Si:H
• Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией оптоэлектронных гетероструктур на основе широкозонных соединений (AlGaIn)N
• Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и тв#рдых растворах на его основе