Ви є тут

Развитие емкостных методов измерения профилей легирования полупроводниковых структур

Автор: 

Уткин Алексей Борисович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000222924

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Физико-химические процессы в расплаве на границах раздела фаз при направленной кристаллизации оксидных соединений
• Нелинейные транспортные эффекты в селективно легированных гетероэпитаксиальных микроструктурах металл-полупроводник
• Пространственное распределение, накопление и отжиг дефектов в ионно-легированном кремнии
• Магнитооптика квантовых проволок и сужений с D-- и D-2-центрами
• Исследование электрической проводимости наноструктур, образованных адсорбатами I,III групп на поверхности кремния
• Размерные эффекты и релаксационные явления в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности
• Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе
• Моделирование устойчивого роста поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии соединений AIIIBV
• Свойства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, полученных химическим газотранспортным методом, и тензопреобразователи на их основе
• Периодические оптические неоднородности в полупроводниковых волноводных гетероструктурах