- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе
Тип роботи:
Дис. д-ра физ.-мат. наук
Рік:
2002
Артикул:
7504 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Полупроводниковые приборы для быстрой коммутации больших мощностей и новые технологические методы их изготовления
- Теоретическое исследование оптических свойств полупроводниковых лазерных структур на основе нитридов металлов III группы
- Рекомбинационные процессы в однослойных массивах InAs/GaAs квантовых точек
- Многопереходные солнечные элементы, содержащие субэлемент на основе германия
- Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (λ=2-5 мкм)
- Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, O)
- Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs
- Компьютерное моделирование эволюции поверхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка
- Оптические исследования тонких пленок молекулярных органических полупроводников фталоцианинового ряда
- Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений