- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе
Тип роботи:
Дис. д-ра физ.-мат. наук
Рік:
2002
Артикул:
7504 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование поперечного транспорта электронов в многобарьерных структурах с резонансным туннелированием носителей, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Исследование газочувствительности тонких пленок оксида олова и возможности их применения для распознавания газов
- Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах
- Разработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и ВТСП соединений
- Выращивание, структурные особенности и свойства монокристаллов кремния с заданной двойниковой структурой
- Радиационно-физические процессы в облученных нейтронами полупроводниковых соединениях антимонида и фосфида индия
- Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si
- Электронно-колебательные переходы с глубоких примесных центров в электрических полях контактов металл - GaAs
- Фононные спектры композиционных сверхрешеток на основе полупроводников A3 B5 , A2 B6 и их твёрдых растворов
- К теории связанных состояний дырок в алмазоподобных и гексагональных полупроводниках