- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе
Тип роботи:
Дис. д-ра физ.-мат. наук
Рік:
2002
Артикул:
7504 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электронный транспорт в наноструктурах с резкими потенциальными границами на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs
- Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов
- Нелинейные процессы и самоорганизация диссипативных структур в системах полупроводник - газоразрядный промежуток
- Электрические и оптические свойства пиролитических пленок окислов металлов
- Взаимодействие полупроводников и систем, содержащих наночастицы, с электромагнитным полем
- Исследование фотоэлектрических процессов в фотоприемниках на основе диодов Шоттки и приборов с зарядовой связью
- Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с туннельно-тонким диэлектриком (TI)
- Синтез и ионно-лучевая модификация алмазоподобных углеродных плёнок
- Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs : Разработка технологии и исследование свойств
- Экситонная фотолюминесценция арсенида галлия высокой степени чистоты