ОГЛАВЛЕНИЕ
ОГЛАВЛЕНИЕ.
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1.ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1. Введение.
1.2.Методы измерения удельного переходного
сопротивления омических контактов
1.3.Технология изготовления омических контактов
к широкозонным полупроводникам.
1.4.Выводы к главе 1
ГЛАВА 2. ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ ОМИЧЕСКИХ
КОНТАКТОВ К КАРБИДУ КРЕМНИЯ.
ОБОРУДОВАНИЕ И ОБЪЕКТЫ
ИССЛЕДОВАНИЯ.
2.1.Формирование омических контактов к пи рбНБКЗ.
2.2.Оборудование, используемое для изготовления
омических контактов к карбиду кремния
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ОМИЧЕСКИХ
КОНТАКТОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ К пбНБЮ
3.1.Исследование зависимости удельного сопротивления омических контактов, изготовленных к полярным граням 6Н8Ю, от температуры отжига
3.2.Влияние температуры отжига на состав переходной
области структур п6НБ1С
3.3.Исследование влияния концентрации
некомпенсированной донорной примем на удельное т сопротивление омичеких контактов.
3.4.Иеледование влияния температуры окружающей среды и высоких плотностей тока на величину удельного контактного сопротивления
3.5.Дополнительные преимущества использования омичеких контактов на основе никеля в
технологии полупроводниковых приборов
3.6.Выводы к главе 3.
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К
рбНБС.
4.1 .Исследование омичеких контактов к р8С,
изготовленных на основе однокомпонентных
контактных систем
4.2.Исследование омичеких контактов на основе
кремнийсодержащих систем к р8С.
4.3.0мичекие контакты к рбНБС, изготовленные
на основе контактных систем, содержащих алюминий.
4.4.Исследование зависимости удельного сопротивления омичеких контактов на основе ТА1 от температуры отжига и концентрации некомпенсированной акцепторной примем в рбНФС
4.5.Исследование состава контактного покрытия и переходной области структур ТАрбНБС.
4.6.Влияние температуры окружающей среды
и высоких плотностей тока на величину удельного сопротивления ТАрбНБС омических контактов.
г 4.7.Выводы к главе 4
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922