Вы здесь

Спин-зависимые магнитооптические и фотогальванические явления в гетероструктурах на основе InAs

Автор: 

Мухин Михаил Сергеевич

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

2012

Артикул:

1005507847

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Свойства 3d-примесей в широкозонных алмазоподобных полупроводниках на примере железа в фосфиде галлия
• Разработка физических основ создания градиентных стеклообразных диэлектриков
• Электронные процессы на гетерогранице Ga2 Se3 /GaAs, сформированной обработкой GaAs в парах селена
• Субмиллиметровая спектроскопия двумерных полупроводниковых структур в сильном магнитном поле
• Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe:Tl и SnTe:In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена
• Применение методов фотоэлектронной эмиссии на краях рентгеновского поглощения для исследования полупроводниковых структур и диэлектриков
• Взаимодействие вакуумного ультрафиолетового излучения с тонкими неорганическими пленками
• Исследование особенностей получения и свойств пленок оксида цинка и железа
• Оптические свойства гетероинтерфейсов типа II в теории сильной связи
• Нелинейные транспортные эффекты в селективно легированных гетероэпитаксиальных микроструктурах металл-полупроводник