Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge

Оглавление
Введение
1 Литературный обзор
1.1 Понятие о квантовых точках
1.2 Гетероструктуры Се с квантовыми точками Се . .
1.2.1 Электрические свойства
1.2.2 Оптические явления в структурах Се с квантовыми точками.
1.3 Моделирование электронных свойств квантовых точек .
1.3.1 Распределение упругой деформации в Се квантовых точках.
1.3.2 Электронная структура.
2 Методика расчета и эксперимента
2.1 Расчет неоднородного распределения упругих деформаций
2.2 Расчет электронной структуры
2.2.1 Одночастичные состояния электронов и дырок . .
2.2.2 Многочастичные состояния дырок
2.3 Метод спектроскопии адмиттанса .
3 Электронные состояния в многослойных гетероструктурах Се с квантовыми точками
3.1 Локализация электронов в гетероструктурах
Се с квантовыми точками ве
3.1.1 Расчет деформаций
3.1.2 Профиль дна зоны проводимости.
3.1.3 Энергии и волновые функций связанных электронных состояний .
3.2 Спектроскопия адмиттанса диодов Шоттки со встроенными слоями квантовых точек Се.
Выводы к главе 3
4 Энергетический спектр и дырочные состояния в двойных вертикальносвязанных квантовых точках Се
4.1 Одночастичные дырочные состояния
4.1.1 Выбор модели.
4.1.2 Энергетический спектр дырок в двойных квантовых точках.
42 Двухчастичные дырочные состояния в двойных квантовых точках
4.2.1 Энергетический спектр и волновые функции двух дырок, локализованных в двойных квантовых точках
4.2.2 Вероятность двойного заполнения.
Выводы к главе 4
5 Экситоны в двойных квантовых точках Сс
5.1 Моделирование экситонов в двойных квантовых точках .
5.2 Пространственная структура экситонов.
Выводы к главе 5
Выводы
Публикации по теме диссертации
Список литературы