- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Комплексообразование в кремнии, легированном селеном
Тип работы:
кандидатская
Год:
2000
Количество страниц:
159
Артикул:
1000292719 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Особенности структуры ионоимплантированных слоев кремния, выявленные с помощью рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения
- Эффект позиционного беспорядка и примесное поглощение света в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами и точками
- Статические, динамические и пороговые характеристики быстродействующих гетеролазеров
- Оптические свойства и структура аморфного углерода
- Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники
- Оптические свойства монокристаллов теллурида цинка, легированных примесями переходных элементов группы железа
- Исследование магнитных явлений в легированных полупроводниках
- Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80 Si20, полученных при разных уровнях гравитации
- Получение и исследование пленок твердых растворов халькогенидных стеклообразных полупроводников (As2 S3)x . (As2 Se3 )1-x на рулонной основе для оптоэлектронных устройств записи информации
- Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металла/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии