Вы здесь

Исследование физических процессов в гетероструктурах на основе нитрида галлия с квантовыми ямами

Автор: 
Солонин Александр Павлович
Тип работы: 
диссертация кандидата физико-математических наук
Год: 
2009
Количество страниц: 
121
Артикул:
7187
179 грн
Добавить в корзину

Содержимое

ОГЛАВЛЕНИЕ
Список условных обозначений .
Введение
Глава 1. Гетероструктуры с квантовой ямой на основе ат
1.1. Полупроводниковые гетероструктуры.
1.2. Кристалл с ОКЯ
1.3 Кристал с МКЯ
1.4. Газофазная эпитаксия при низком давлении из металлоргстических соединении
1.5. Ширина запрещенной зоны в 1пСаИЮаЫ
1.6. Спектры голубых СД
1.7. Вольтамперные характеристики голубых СД с ОКЯ
1.8. Вольтамперные характеристики голубых СД с МКЯ
1.9. Вольтфарадные характернаяики голубых СД
1 Туннельная излучателъная рекомбинация
1 Модель туннельного тока
1 Квантовый выход излучения светодиодов
с квантовыми ямами.
1 Пути улучшения электролюминесцентных характеристик
СД на основе пОаКЮаП
1 Деградация нитрид галлиевых светодиодов
1 Электрофизические характеристики голубых СД 1пОаЫОаЫсветодиодов при высокой плотности тока.
1 Параметры глубоких уровней ГУ в кристаллах АЮаШпОаЖЗаЫ .
1 Гетероструктуры с туннельносвязанными квантовыми ямами
Выводы по главе 1
Глава 2. Электрические характеристики голубых светодиодов
2.1. Образцы для исследований.
2.2. Вопыпамперные характеристики и Vхарактеристики голубых СД.
2.3. Механизмы токопереноса в СД
2.4. Исследование прыжковой проводимости.
2.5. Расчт энергии активации.
2.6. Определение концентрации доноров
2.7. Исследования ВАХ при обратных напряжениях смещения
Выводы по главе 2.
Глава 3. Люминесцентные характеристики голубых светодиодов.
3.1. Электролюминесцентные характеристики СД
3.2. Низкотемпературные спектральные исследования
3.3. Заполнение энергетических уровней в трехуровневой модели
3.4. Коэффициент полезного действия КПД СД.
Выводы по главе 3.
Глава 4. Исследование рекомбинационных центров в голубых СД
4.1. Термостимулированная мкость ТСЕ
4.2. Нестационарная спектроскопия глубоких уровней НСГУ
4.3. Концентрация глубоких уровней в структуре I и вероятность туннелирования носителей заряда
4.4. Рекомбинационная спектроскопия глубоких уровней. Туннельная рекомбинация
4.5. Дифференциальные показатели наклона ВАХ 3
Выводы по главе 4.
Глава 5 Влияние уо б лучения на электрофизическис параметры голубых СД.
5. . Изменение ВАХ голубых СД после облучения.
5.2. Трансформация концентрационного профиля мелкой примеси в СД и анализ СУхарактеристик голубых СД после облучения уизлучением.
5.3. Влияние уоблучения на ГУ в структурах ЛЮаНТпСаМСаП с квантовыми ямами
5.4. Анализ изменения формы спектра электролюминесценции облученного и необлученного СД
5.5. Зависимость яркости и КПД голубых СД
в зависимости от дозы оачучния.
Выводы по главе 5
Заключение
Литература