Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений AIIIBV современной точности обработки

Оглавление
Глава I. Особенности обработки полупроводниковых пластин бинарных соединений АШВ в соответствии с современными требованиями . Литературный обзор
1.1 Введение.
1.2Требования к качеству полупроводниковых пластин бинарных соединений АШВУ
1.3 Физикохимические свойства полупроводниковых соединений АШВУ и их влияние на процессы обработки подложек.
1.4 Основные этапы обработки полупроводниковых материалов.
1.5 Выводы и постановка задачи.
Глава II Методы исследования и визуализации приповерхностных нарушений, возникающих в пластинах соединений АШВЧ в процессе механической и химикомеханической обработки
.1 Разработка методики косого шлифа для определения глубины нарушенного слоя в пластинах арсенида галлия, фосфида галлия и фосфида индия
.2 Определение глубины нарушенного слоя методом послойного удаления материала.
.3 Оценка качества поверхности полупроводниковых пластин арсенида галлия, фосфида галлия и фосфида индия
после проведения процесса химикомсханичсского полирования
.4 Материалы, исследуемые в работе4
Глава III. Разработка технологии двухстороннего шлифования свободным абразивом пластин арсенида галлия, фосфида галлия, фосфида индия большого диаметра
III. 1. Сравнительный анализ качества поверхности и геометрических параметров пластин, полученных методами резки алмазным кругом с внутренней режущей кромкой и многопроволочной
III.2 Прогнозирование глубины приповерхностных нарушений при механической обработке пластин фосфида галлия, арсенида галлия и
фосфида галлия
Ш.ЗИсследование глубины повреждений в приповерхностных слоях пластин при проведении процесса шлифования в зависимости от размера абразивных частиц7.
III. 4 Влияние удельного давления, скорости подачи суспензии и механических свойств материала на качество проведения процесса шлифования пластин арсенида галлия, фосфида галлия и фосфида
Ш.4 Выводы по главе III
Глава 4 Разработка технологии прецизионного химикомеханического полирования пластин фосфида галлия, арсенида галлия и фосфида индия.
IV.. Исследование качества поверхности пластин фосфида галлия и арсенида галлия после проведения процесса одностороннего химикомеханического полирования. .
Ш.2. Исследование возможности снижения параметра разноголщинности в полированных пластинах арсенида и фосфида галлия диаметром мм.
IV.3 Выбор компонентов полирующей суспензии для химикомеханического полирования пластин фосфида индия
1У.4 Выводы по главе IV
Выводы.
Литература