01.04.10 - Физика полупроводников

Ви є тут

Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:

Название диссертации	Автор	Год	Цена	Добавить в корзину
Пористые карбид кремния и нитрид галлия: получение, свойства и применение	Мынбаева Марина Гелиевна	2003	179 грн	Додати в кошик
Пороговые, спектральные и пространственные характеристики GaAs/AlGaAs лазеров с искривленными штрихами брегговской решетки обратной связи, обеспечивающей фокусировку выходного излучения	Дюделев Владислав Викторович	2006	179 грн	Додати в кошик
Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге : расслоение на стадии Оствальдовского созревания	Феклистов Константин Викторович	2011	179 грн	Додати в кошик
Преципитация кислорода в кремнии, легированном цирконием	Гришин Александр Геннадьевич	2004	179 грн	Додати в кошик
Применение лазерной обработки в технологии изготовления солнечных элементов	Потеха Сергей Васильевич	1992	179 грн	Додати в кошик
Применение методов фотоэлектронной эмиссии на краях рентгеновского поглощения для исследования полупроводниковых структур и диэлектриков	Юрьев Юрий Николаевич	1999	179 грн	Додати в кошик
Применение модели U-минус-центров к объяснению транспортных свойств нормальной фазы халькогенидных стеклообразных полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников	Барыгин Илья Алексеевич	2009	179 грн	Додати в кошик
Применение модели потенциала нулевого радиуса к теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках	Логинова Инга Дмитриевна	1574	179 грн	Додати в кошик
Применение теории гармонических колебаний для описания релаксационной поляризации в высокоглиноземистых керамиках	Лукичев Александр Александрович	1999	179 грн	Додати в кошик
Примеси и собственные дефекты в карбиде кремния в связи с условиями роста, легирования и релаксационного отжига	Мохов Евгений Николаевич	1998	179 грн	Додати в кошик