Инжекционные лазеры на основе квантовых ям и квантовых точек на подложках GaAs, излучающие на длине волны 1.3 мкм

Содержание
Введение
Глава 1 Инжекционные лазеры для применений в системе волоконнооптической линии связи.
1.1. Особенности волоконнооптических систем передачи информации
1.2. Материалы для лазерных излучателей, используемые для ВОЛС
Глава 2 Экспериментальное оборудование и методики.
2,1. Методы роста и экспериментальные методы измерения.
2.2. Постростовые операции.
2.3. Особенности лазерных структур с квантовыми точками в активной области.
2.4 Особенности азотсодержащих полупроводниковых материалов.
Глава 3. Пространственноодномодовые лазерные диоды с 1пОаАБ квантовыми точками и с пваАБК квантовыми ямами в активной области.
3.1. Переход генерации с основного состояния на генерацию через возбужденное состояние
3.2. Пространственноодномодовые лазеры с 1пСаАз КТ в активной области.
3.3. Пространственноодномодовое излучение лазеров с пСаАвПСаАв квантовой ямой в активной области.
3.4.Пространственноодномодовые лазеры с 1пСаАв квантовыми точками и пСаАзИ квантовыми ямами на подложках СаАв сравнительный анализ.
3.5. Пространственноодномодовые лазеры с 1пСаАв квантовыми точками и пСаАвИ квантовыми ямами на подложке СаАв сравнительный анализ с пСаАвРпР лазерами.
Глава 4. Оптимизация активной области, содержащая пСаАзИ квантовую яму, излучающую на длине волны 1.3 мкм, для лазерного применения.
Глава 5. Управление длиной волны лазерной генерации в диапазоне 1.30. мкм с помощью высокотемпературного отжига структур с квантовыми точками.
Заключение.
Список цитируемой литературы