ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение.
Глава 1. Резонанснотуннельный диод Обзор литературы
Глава 2. Одномерное моделирование резонанснотуннельных диодов и
экстракция параметров эквивалентной схемы РТД.
2.1. Введение
2.2. Описание модели и программы моделирования
2.3. Процедура вычислений.
2.4. Эквивалентная схема РТД и экстракция его I параметров из
результатов расчтов
2.5. Обобщнные граничные условия на гетероинтерфейсе в методе огибащих
волновых функций
2.6. Выводы
Глава 3. Влияние двумерных эффектов связанных с протеканием тока в
тонких контактных слоях на ВАХ РТД
3.1. Введение
3.2. Описание аналитической модели.
3.3. Сравнение аналитических расчетов с результатами численного
моделирования.
3.4. Выводы
Глава 4. Учет влияния крупных шероховатостей гетероинтерфейса на ВАХ резонанснотуннельных диодов
4.1. Введение
4.2. Моделирование шероховатостей гетероинтерфейса методом
некогерентного усреднения.
4.3. Исследование применимости метода некогерентного усреднения путем
решения двумерного уравнения Шрдингера в волноводной модели.
4.4. Выводы.
Заключение.
Список использованной литературы
- Київ+380960830922