Совершенствование технологии получения утфеля первой кристаллизации

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1 Теоретические основы процесса кристаллизации сахарозы
1.1.1 Растворимость сахарозы в чистых и производственных растворах
1.1.2 Диаграмма фазовых превращений.
1.1.3 Кристаллообразование
1.1.4 Скорость роста кристаллов сахарозы
1.1.5 Рекристаллизация.
1.2 Основы промышленной кристаллизации сахарозы из растворов методом выпаривания
1.2.1 Теплообмен при получении утфеля первой кристаллизации.
1.2.2 Массообмен при получении утфеля первой кристаллизации.
1.2.3 Равенство скоростей создания пересыщения и роста кристаллов
1.2.4 Существующие способы получения утфеля первой кристаллизации.
1.2.5 Способы управления процессом получения утфеля
первой кристаллизации.
1.2.6 Характеристики кристаллов сахарозы и способы их определения
1.3 Обоснование цели и задач исследования.
ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1 Определение технологических параметров в продуктах первой кристаллизации.
2.2 Методика компьютернооптического контроля кристаллоструктуры суспензий кристаллизационной станции сахарного производства
ГЛАВА 3. РАЗРАБОТКА ОСНОВ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ УТФЕЛЯ ПЕРВОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ.
3.1 Учт длительности латентного периода кристаллообразования.
3.2 Разработка режимов производства кристаллической основы для утфеля методом кристаллизации охлаждением.
3.3 Исследование влияния длительности стабилизации на гранулометрический состав сахарапеска
3.4 Выводы.
ГЛАВА 4. ПРОМЫШЛЕННОЕ ИСПЫТАНИЕ ПРЕДЛАГАЕМЫХ МЕТОДОВ СОВЕРШЕНСТВОВАНИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ УТФЕЛЯ ПЕРВОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ.
4.1 Описание условий проведения исследования.
4.2 Определение качественных характеристик и количества кристаллов в затравочных суспензиях
4.2.1 Определение качественных характеристик кристаллов
в затравочных суспензиях.
4.2.2 Расчт удельного количества кристаллов в затравочных суспензиях
4.3 Исследование равенства скоростей создания пересыщения и роста кристаллов при получении маточного утфеля
4.3.1 Определение качественных характеристик кристаллов в маточном утфеле.
4.3.2 Расчт количества кристаллов в маточном утфеле
4.3.3 Определение площади поверхности кристаллов в маточном
утфеле.
4.4 Исследование равенства скоростей создания пересыщения и роста кристаллов при получении производственного утфеля
4.5 Изменение поверхности кристаллов при получении маточного и производственного утфелей первой кристаллизации
4.6 Анализ технологического режима и правильности настроек в системе автоматизации процесса получения маточного и производственного утфелей первой кристаллизации
4.7 Оценка погрешности измерений и воспроизводимости результатов
4.8 Выводы
ГЛАВА 5. РЕКОМЕНДАЦИИ ДЛЯ ПРАКТИЧЕСКОГО ИСПОЛЬЗОВАНИЯ
5.1 Инструкция по компьютернооптическому контролю кристаллоструктуры суспензий кристаллизационной станции сахарного производства
5.2 Способ получения утфеля первой кристаллизации, учитывающий длительность латентного периода кристаллообразования.
5.3 Способ производства кристаллической основы для уваривания утфелей методом однократной кристаллизации охлаждением.
5.4 Способ производства кристаллической основы для уваривания утфелей методом двукратной кристаллизации охлаждением
5.5 Сравнительная оценка способов производства кристаллических
основ для утфеля первой кристаллизации.
РАСЧТ ОЖИДАЕМОГО ЭКОНОМИЧЕСКОГО ЭФФЕКТА ОТ ВНЕДРЕНИЯ.
Способ производства кристаллической основы для уваривания утфелей методом однократной кристаллизации охлаждением.
Способ производства кристаллической основы для уваривания утфелей методом двукратной кристаллизации охлаждением
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК.
ПРИЛОЖЕНИЯ.
ПРИЛОЖЕНИЕ 1.
ПРИЛОЖЕНИЕ 2.
ПРИЛОЖЕНИЕ 3.
ПРИЛОЖЕНИЕ 4.
ПРИЛОЖЕНИЕ 5.
ПРИЛОЖЕНИЕ 6.
ПРИЛОЖЕНИЕ 7.
ПРИЛОЖЕНИЕ 8.
ПРИЛОЖЕНИЕ 9.
ПРИЛОЖЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ .
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность